【摘 要】
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高功率半导体激光器随着功率的日益提高其散热问题成为限制其发展的重要因素。研制高功率半导体激光器微通道热沉可以实现非常低的热阻及良好的温度均匀性，从而保证激光器长寿
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高功率半导体激光器随着功率的日益提高其散热问题成为限制其发展的重要因素。研制高功率半导体激光器微通道热沉可以实现非常低的热阻及良好的温度均匀性，从而保证激光器长寿命、稳定工作。 本文选择硅做微通道热沉材料，微通道的刻蚀采用沉积氮化硅膜做掩膜，采用反应离子刻蚀方法刻蚀出微通道图形窗口，再采用各向异性的腐蚀方法完成。实验中采用硅-玻璃-硅三层结构，冷却水从入水口进入上层硅材料的微通道，经过中间玻璃层狭缝进入下硅层从出水口排出，最后进入外冷却循环系统。密封微通道结构，同时完成微通道结构表面金属化。在微通道上部蒸镀金属铟，然后把半导体激光厘米棒压焊到有铟部分，再用球焊机把激光器N面电极引出来。最后安装水循环系统及散热装置，密封制冷剂进出口。 经测试：样品热阻小于0.25℃/W。
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