【摘 要】
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该文对硅基富Ge-SiGeC合金薄膜热氧化发光和退火性质以及硅基SiGe/SiC异质结构进行了系统的研究,取得了有意义的结果.该论文的主要结果有:1.研究并发展了以乙烯(CH)为C源,在
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该文对硅基富Ge-Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金薄膜热氧化发光和退火性质以及硅基Si<,1-x>Ge/Si<,1-y>C<,y>异质结构进行了系统的研究,取得了有意义的结果.该论文的主要结果有:1.研究并发展了以乙烯(C<,2>H<,4>)为C源,在等离子体化学气相淀积(PECVD)的过程中采用非平衡惨碳的方法,在国内首次成功地在硅衬底上生长出富Ge-Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金的多晶薄膜.2.研究探索了热氧化Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金薄膜的光致发光,在国际产首次报道硅基热氧化Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金薄膜光致发光的结果.3.深入探讨了热氧化Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金薄膜的发光机理.4.研究分析了Si基富Ge-Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金薄膜的热稳定性,给出了富Ge-Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金薄膜的热退火行为.5.研究分析了硅基Si<,1-x>Ge<,x>/Si<,1-y>C<,y>异结构的特性.
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