脉冲激光沉积法制备硅基掺Mn硅酸锌薄膜

来源 :浙江大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:afengyu66
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
掺Mn硅酸锌发光材料由于发光效率高、稳定性好、饱和色高以及制备工艺可与硅集成电路工艺兼容等优点,具有在硅基光电器件中的潜在应用前景。至今人们已经采用多种薄膜生长技术来制备掺Mn硅酸锌薄膜材料。相比其他薄膜生长技术,脉冲激光沉积(PLD)法具有能保持薄膜组分与靶材一致等优点,在多元氧化物薄膜制备方面有着独特的优势。因此,开展脉冲激光沉积法制备硅基掺Mn硅酸锌薄膜的研究具有非常重要的意义。 本文在总结掺Mn硅酸锌材料制备研究现状的基础上,利用脉冲激光沉积技术在硅衬底上制备了掺Mn硅酸锌薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)、场发射扫描电镜(FESEM)、荧光光谱仪(PL)对掺Mn硅酸锌薄膜的结构性能和光学性能进行了测试和分析,研究了热处理温度、激光频率、激光能量密度、衬底温度、氧气压强等工艺参数对薄膜性能的影响及其影响机理。 实验结果表明:当热处理温度为1000℃时,薄膜结晶性能最好,而900℃下薄膜在525nm处光致发光峰达到最强。激光频率为5Hz时,可以获得具有最佳结晶性能与发光性能的掺Mn硅酸锌薄膜,薄膜沉积具有一定的激光能量密度阈值(3.36J/cm~2),过低的激光能量密度会降低薄膜的发光强度。衬底温度会影响薄膜的沉积速率,300℃时的衬底温度下可以获得薄膜最大沉积速率为16.1nm/min,且薄膜性能达到最好。当氧气压强为10Pa时,可以获得具有最佳结晶性能和发光性能的薄膜,且薄膜荧光衰减时间为5.9ms。
其他文献
本文采用气氛保护烧结和SPS放电等离子烧结分别制备了多孔铝及铝硅合金试样。借助SEM及电光分析天平,研究了烧结工艺和造孔工艺参数对多孔铝及铝硅合金微观结构及孔隙特性的
随着冶金行业的发展和环保的要求,人们对废弃耐火材料的回收利用越来越重视。本论文研究用铝碳滑板再生料、碳化硅、白刚玉、鳞片石墨为主要原料,添加金属铝粉、硅粉和硼玻璃
为防治各类病菌感染疫疾,大量抗生素药物不断被研发和广泛使用。然而,抗生素药物在为防治病患发挥积极作用的同时,也引发了一系列的消积影响。其中,最受关注的影响包括生态安全及健康风险。抗生素药物在使用后,绝大多数药物在基体的吸收和转化率极低,使得大部分成分以其母体或代谢物的形式被释放进入环境中,被排放进入环境的残留成分仍具有一定的活性,会对生态环境和人体健康造成极大的潜在威胁。水环境是污染物在环境中释放