【摘 要】
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该论文主要分析了3C-SiC/Si的异质外延生长理论模型,指出缓冲层的生长是3C-SiC薄膜生长的关键.通过实验摸索出了适合的工艺条件,利用APCVD系统采用选择生长法成功的生长了3C-
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该论文主要分析了3C-SiC/Si的异质外延生长理论模型,指出缓冲层的生长是3C-SiC薄膜生长的关键.通过实验摸索出了适合的工艺条件,利用APCVD系统采用选择生长法成功的生长了3C-SiC单晶薄膜与多晶薄膜,指出了APCVD系统生长3C-SiC的可能机制.采用竞位外延掺杂技术实现了对3C-SiC的掺杂,通过理论分析与实验验证得出Al可以与SiC形成良好的欧姆接触.对3C-SiC压阻效应进行了研究,根据有利于提高高温压力传感器性能的原则,综合不同结构和工艺,优化设计,完成3C-SiC高温压力传感器的结构与芯片版图设计.
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