【摘 要】
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以结晶四氯化锡（SnCl4·5H2O）、三氯化锑（SbCl3）、结晶硝酸铝（Al（N）3）3·9H2O)、乙醇（C2H5OH）、去离子水为原料,制备多元掺杂的凝胶,将凝胶分别涂敷于玻璃基片和陶瓷基片上,通过合适的
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以结晶四氯化锡（SnCl4·5H2O）、三氯化锑（SbCl3）、结晶硝酸铝（Al（N）3）3·9H2O)、乙醇（C2H5OH）、去离子水为原料,制备多元掺杂的凝胶,将凝胶分别涂敷于玻璃基片和陶瓷基片上,通过合适的热处理工艺制得与基体附着良好的多元掺杂SnO2基导电薄膜。 对玻璃基体薄膜的成膜工艺进行了对比研究。玻璃基体薄膜的焙烧温度应该在500～550℃之间,以得到较好的透光性;初始反应物中Sb含量应该在6～9%之间,以得到较低的薄膜电阻:焙烧成膜后保温时间应该在30～60min之间。 对陶瓷基体薄膜的成膜工艺进行了对比研究。陶瓷基体薄膜的焙烧温度应该在450～500℃之间,以得到好的薄膜外观:初始反应物中Sb含量应该在3～12%之间,以得到较低的薄膜电阻:焙烧成膜后保温时间应该在30～60min之间。 使用扫描电镜（GEM）对两种基体薄膜的表面形貌进行了观察。玻璃基体表面薄膜比较致密,基本没有孔洞出现,组成薄膜的颗粒呈球形,颗粒大小比较均匀,颗粒直径在lμm左右。陶瓷基体表面薄膜比较致密,基本没有孔洞出现,组成薄膜的颗粒大多呈具有较平滑棱角的多面体状,颗粒大小在50～400nm之间。使用X射线衍射仪对薄膜的结晶状况进行了分析,发现玻璃基体和陶瓷基体表面的薄膜均为晶态。使用Alpha—200表面轮廓仪测玻璃基体表面薄膜厚度,测得薄膜厚度在1μm左右。使用WS—2004涂层附着力自动划痕仪测量薄膜的附着力,玻璃基体和陶瓷基体上的薄膜均与基体结合紧密,附着良好。使用Bio—Rad HL5500型霍尔测试系统测量薄膜的方块电阻,玻璃基体和陶瓷基体上的薄膜均具有较好的导电性能,方块电阻比较低。玻璃基体薄膜中Sb含量高低对薄膜的导电性能有较大的调节作用,而陶瓷基体薄膜中Sb含量高低对薄膜的导电性能的调节作用不明显。
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