【摘 要】
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该文采用颗粒带硅（SSP）为衬底,快速热化学气相沉积（RTCVD）直接外延薄膜.对SSP衬底性质、RTCVD工艺特点和电池的氢退火效应进行了研究.通过对电池结构的改进、外延工艺的优化,以及
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该文采用颗粒带硅（SSP）为衬底,快速热化学气相沉积（RTCVD）直接外延薄膜.对SSP衬底性质、RTCVD工艺特点和电池的氢退火效应进行了研究.通过对电池结构的改进、外延工艺的优化,以及电池的氢退火处理,得到了转换效率为8.25﹪的电池产品（I<,sc>=26.69mA/cm<2>,V<,oc>=506.8mV,FF=61.0﹪）,基本接近国际同类电池水平.总之,颗粒带硅（SSP）作为廉价硅衬底,在降低电池成本方面优势明显.采用合理的电池结构,优化电池制备工艺,可以得到较高转换效率的电池产品.SSP衬底上的太阳电池具有重要的研究价值和美好的应用前景.
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