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显示屏是人机交互的界面,越来越成为人们工作生活中不可或缺的角色。非晶氧化物半导体薄膜晶体管(AOS-TFT)具有载流子迁移率高(1~100 cm2V-1s-1)、薄膜均匀性好、工艺温度相对较低、薄膜对可见光透明、与现有a-Si TFT制备工艺兼容等优点,是下一代显示技术的有力竞争者。但AOS-TFT难免使用高真空、高能量等昂贵真空设备进行氧化物薄膜蒸镀,一方面使得氧化物薄膜的氧空位难以控制,另一方面不利于TFT的低温制备,无法满足电子纸、透明显示等新型显示器件的发展需求。阳极氧化法设备简单,成本低廉,能实现TFT的低温制备,本文首次探索阳极氧化Mg-Al合金实现复合氧化物薄膜的制备,并对其结构、绝缘性能等进行了研究,主要工作和研究结果如下:1.对比电子束蒸发和磁控溅射蒸镀方式,发现单源电子束蒸发和磁控溅射难以控制薄膜的Mg、Al比例,采用Mg、Al金属两种靶材,通过双源电子束蒸发可以很好控制薄膜的成分比例。2.经合金薄膜的EDS、SEM等表征,其结果表明,在优化电子束蒸发的束流大小、靶材、基板温度的工艺参数下,通过调整束流能够得到期望比例的Mg-Al合金薄膜,合适的束流和高纯Mg粒、Al粒靶材以及180℃的基板温度,可以提高薄膜的质量,得到表面形貌平整、致密的合金薄膜。3.在阳极氧化方面,首先通过铝膜的阳极氧化制备氧化铝簿膜,并获得了性能较好的氧化铝绝缘层,以此验证金属阳极氧化制备氧化物薄膜的可行性。在此基础上,进行了通过阳极氧化Mg-Al合金薄膜制备Mg-Al复合氧化物薄膜的研究。研究表明,阳极氧化中恒定电流大小、恒定电压大小、恒压时长以及Mg-Al合金薄膜成分比例均对氧化膜的绝缘性能有影响。采用合适比例的Mg-Al合金薄膜和2mA-85V、3mA-85V的恒流恒压参数可以得到质量较高的氧化物薄膜,适当延长恒压氧化的时间可进一步减少薄膜的缺陷,降低薄膜的漏电流。4.薄膜经过退火处理,可以降低薄膜的粗糙度和缺陷,进一步降低漏电流。综合优化工艺参数,阳极氧化薄膜的漏电流为10-4mA/cm2量级,击穿电压约为20V,相对介电常数8.35,将氧化膜作为TFT的绝缘层,器件表现出一定的场控效应。