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本文首先研究了简单两相结构PTT/PC合金的结晶行为及其影响因素，在此基础上，采用纳米MMT对其结晶性能进行了调控研究。研究结果如下：简单两相结构PTT/PC合金结晶行为的研究表明，PC强烈抑制了PTT相结晶，30wt%的PC使PTT相的峰值结晶温度由175oC降至161.8oC。但是，随着PC用量的增加，PTT相的峰值结晶温度却逐渐移向高温，当PC含量达到60wt%时，PTT相峰值结晶温度升高到纯PTT的峰值结晶温度175oC。当PC含量为50wt%时，PTT相峰值结晶温度却相驳于以上变化规律，显著向低温移至157.9oC。当PC含量达到70wt%时，PTT相不再出现结晶峰。以上变化表明，PTT相的结晶行为与合金组成、相形态及相界面面积相关。鉴于界面层厚度受PTT和PC两相熔体流变特性的制约，是剪切强度、温度和停留时间的函数，进一步研究了剪切场、温度场以及停留时间对PTT/PC结晶行为的影响。结果表明，给定转速时，加工温度提高，PTT相结晶移向高温，如转速为100rpm时，温度由240oC升至270oC，PTT相的峰值结晶温度由155.7oC升至168.7oC。但当温度提高到一定程度时，PTT相峰值结晶温度反而下降，如100转速下，温度升至280oC，PTT相峰值结晶温度降至162.8oC。加工温度240oC、转速60rpm时，随混炼时间延长，PTT相峰值结晶温度逐渐升高；加工温度250oC、转速60rpm时，混炼时间从5min增至10min时，PTT相峰值结晶温度由155.9oC升至160.9oC，混炼时间增至15min时，PTT相峰值温度降至149.1oC。给定加工温度时，转速提高，PTT相结晶向高温移动。如加工温度为250oC，转速由60rpm升至150rpm时，PTT的峰值结晶温度由159.1oC升至171.1oC，但是，当转速提高到一定程度时，PTT相峰值结晶温度反而下降，如加工温度为250oC，转速升至160rpm时，PTT相峰值结晶温度降至169.0oC。基于纳米MMT显著促进PTT结晶的前期研究结果，本文选用两种表面性质不同的MMT（30B，25A）研究了其对PTT/PC结晶性能的影响。发现在PTT/PC合金中，无论PTT为分散相还是连续相，25A对PTT相结晶的促进能力均明显好于30B，由此选择25A为PTT/PC合金的结晶性能促进剂，对合金的结晶性能进行了系统的调控研究。结果表明，PTT为连续相时，在低加工温度（如240oC），剪切越强，MMT对PTT相结晶的促进作用越强，如加工温度240oC，转速80rpm时，PTT/PC（70/30）合金加入1wt%MMT后，PTT相峰值结晶温度由151.1oC升至179.5oC。SEM和TEM结果表明，一步混炼法中MMT主要分布在PTT相中和界面上，剪切越强，MMT在PTT相中分散越均匀。Master batch法可显著促进MMT的诱导成核能力，TEM结果表明Master batch法更有利于MMT分散，使MMT倾向于分布在相界面上，形成沿界面取向的球状MMT层，球状MMT层对PTT相具有超强的诱发成核能力，其对PTT相结晶诱发成核的贡献，弥补了界面处PC链段对PTT相球晶生长的抑制作用。MMT用量增加，PTT相的结晶完善程度有一定程度的增加，表现在PTT相峰值结晶温度升高。加入3wt%MMT后，界面处的MMT明显增多，球状MMT层更加明显且厚度呈增加趋势。当剪切强度不足以使MMT在基体中完全剥离时，加入epoxy可促进PTT相结晶（促进MMT分散），且剪切强度越低，这种促进作用越显著。当剪切强度可使MMT完全剥离时，加入epoxy反而使结晶温度和结晶焓降低，此时，界面相容性改善对结晶的抑制作用超过了MMT对结晶的促进作用。提高温度有利于PTT相的结晶，（2+8）模式比（3+7）模式PTT相结晶性能好。对于PTT/PC/MMT(70/30/1wt%)，剪切和混炼方式对PTT结晶影响不大。PTT为分散相时，MMT对PTT分散相的诱导成核能力显著强于PTT连续相，如，1wt%MMT在250oC、60转速时能使70/30PTT/PC的峰值结晶温度由160.9oC提高到180.3oC，而在相同加工条件下，却能使原本不出现结晶峰的30/70PTT/PC在189.2oC出现强结晶峰。加工温度为240oC时，低剪切（60rpm）时，MMT对PTT相结晶的诱发成核能力强于较高剪切时(80rpm)。相同剪切时（60rpm），温度升高（如从240oC升至250oC时），有利于PTT相结晶。相同温度相同剪切时，若采用master batch法，则PTT相的结晶能力更强。PTT用量为30wt%时，随着MMT用量增加，PTT相的峰值结晶温度先升高后降低。加入界面改性剂不利于PTT相结晶，使其结晶温度移向低温。