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TFT阵列作为液晶显示（LCD）和有机发光二极管显示（OLED）的核心部件,一直是科研工作者的重要研究对象。非晶氧化物半导体薄膜晶体管（AOS-TFT）凭其迁移率高、在可见光区域透明、可低温制备,性能稳定等优点受到人们的青睐。而目前规模化生产的TFT制备必须在高真空条件下,真空设备不仅价格昂贵,而且薄膜沉积过程中容易产生氧空位,导致器件性能下降。本文使用的阳极氧化法,是在空气氛围室温条件下制备氧化物薄膜,操作简单,成本相对较低。本文在本实验室研究成果的基础上,改用酒石酸铵乙二醇溶液为电解液,探索不同原子比的Mg-Al合金膜阳极氧化处理后的结构、性能等。本文的主要工作和研究结果如下:1.利用电子束蒸发台,保持其它工艺参数不变,仅改变Mg靶的轰击束流,通过薄膜测试表征,发现电子束流越大,薄膜的粗糙度减小到一定程度后有增大的趋势,Mg掺杂浓度越来越大。2.本文阳极氧化的恒压均为85V,氧化时长为1.5h,将原子比相同的薄膜经不同氧化电流密度氧化处理后,进行AFM、EDS、XRD分析,氧化电流密度较大时,薄膜表面较为平整,均匀性良好,氧化电流密度越小,薄膜质量越差,流失到电解液中的Mg越多。氧化电流密度为1.2和1.5mA/cm2时,可以得到表面平整、均匀致密的复合金属氧化物薄膜。通过XRD图谱分析,阳极氧化制备的薄膜为非晶结构。3.经阳极氧化处理后,薄膜的MIM漏电流测试结果表明,适当增大氧化电流密度可以提高薄膜的绝缘性能和稳定性。最佳的氧化电流密度为1.2mA/cm2。此条件下制备的复合金属氧化物薄膜的漏电流为10-7A/cm2量级,击穿电压为25V。4.对比相同氧化电流密度氧化的不同原子比薄膜的J-V特性曲线,发现Mg、Al原子比为0.11、0.15薄膜,绝缘性最好,漏电流密度为10-7A/cm2量级,击穿电压相对较高。5.小氧化电流密度氧化的小比例掺杂的薄膜300℃退火处理后,漏电流明显降低,击穿电压由15V上升到22V。大氧化电流密度氧化的大比例薄膜,均匀致密,存在的缺陷较少,经退火处理后,绝缘性能基本不变。