【摘 要】
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该文在分析SITH作用机理的基础上,阐述并讨论了SITH的结构和主要的电参数,对其栅一阴极击穿电压V与外延参数的关系作了进一步的完善.从工艺调节的角度分析了限制耐压容量的因
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该文在分析SITH作用机理的基础上,阐述并讨论了SITH的结构和主要的电参数,对其栅一阴极击穿电压V<,GK>与外延参数的关系作了进一步的完善.从工艺调节的角度分析了限制耐压容量的因素,提出了有效的解决措施.系统分析了结构参数、材料参数、工艺参数与器件电性能的关系,并对各种特性间的制约关系做了适度的参数调节,给出了设计原则,对100A/1500V埋栅型SITH的关键制造技术进行了讨论,给出了相应的实验结果.
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