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计算机问世50多年来,其性能发展很快,特别是CPU技术发展更快,然而,计算机存储器的发展滞后于CPU的发展,它严重影响了计算机的性能。由此对存储器在集成度、功耗和速度上提出了更高的要求。 BiCMOS(Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)技术将双极型器件与CMOS器件有效结合,既保持了CMOS电路的低功耗和高集成度的优点,又获得了与双极电路相媲美的高速性能和强驱动能力,因此,近年来此技术正日益受到集成电路(IC)业界的重视。 本文设计的静态随机读/写存储器(SRAM)采用先进的BiCMOS技术及Bank结构、CSEA存储位元以及超前译码技术,使存储性能大为提高。本文最后对SRAM部分单元电路进行了逐一、反复的仿真试验,以及对全电路进行了软件仿真,模拟结果表明,所设计的SRAM的容量为1M,电源电压为3.3V,功耗约为1.78W,总体上实现了高速、高精度、低功耗的特性。 根据SRAM电路的性能要求,结合目前IC的工艺水平,简要地提出了实现本文静态存储器的BiCMOS工艺设计要点。