【摘 要】
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该工作就是针对最典型的OELC技术即长波长光接收机单片集成电路而开展的.作者先对InGaAsMSM光探测器和InAlAs/InGaAsHEMT及其宽带跨阻型放大器巨型了系统的研究,然后将这两种
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该工作就是针对最典型的OELC技术即长波长光接收机单片集成电路而开展的.作者先对InGaAsMSM光探测器和InAlAs/InGaAsHEMT及其宽带跨阻型放大器巨型了系统的研究,然后将这两种器件单片集成实现了OEIC长波长光接收机.最后提出并表征了具有应变InAlAs势垒层的InP基InAlAs/InGaAs增强型HEMT.1、MSM光探测器的致命缺点是由于电极的影响导到的响应度偏低和由于光电流的横向流动导致的暗电流偏高.2、为发展宽带InAlAs/InGaAsHEMT跨阻型前置放大器,作者首先对InAlAs/InGaAs/InPHEMT材料和器件进行了表征.3、为发展622Mb/s-2.5Gb/s单片集成MSM/HEMT长波长光接收机,作者采用了InGaAsPD与InAlAs/InGaAsHEMT叠加的一次外延的纵向集成方案,提出了材料的结构和参数,用GSMBE方法完成了材料的延延生长.精心设计了OEIC光接收机的电路图和版图.4、作者在国际上首次提出引入富Al组分InAlAs提高势垒高度实现InAlAs/InGaAs增强型HEMT的思想.基于这一思想,设计了器件的纵向材料结构,热垒层InAlAs中Al组分为0.55,沟道材料InGaAs中In组分为0.75.采用Ti/Pt/Au作势垒金属.器件阈值电压约170mV.
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