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半导体中的过渡金属杂质和原子簇的电子结构研究
【机 构】
:
中国科学技术大学
【出 处】
:
中国科学技术大学
【发表日期】
:
1993年期
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该文利用激光表面合金化技术,大幅度降低了3%SiGoss织构高磁感取向硅钢片铁损指标,并且明显改善了样品的高温时效性质.作者使用红外激光束在样品表面沿垂直于轧制方向,做等间