【摘 要】
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Graphene是目前发现的最理想的稳定的二维体系,其独特的结构使graphene有很多不同于其他碳基材料的性质。Graphene材料在纳米微电子器件、光电子器件、自旋量子器件以及新型
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Graphene是目前发现的最理想的稳定的二维体系,其独特的结构使graphene有很多不同于其他碳基材料的性质。Graphene材料在纳米微电子器件、光电子器件、自旋量子器件以及新型复合材料方面有着广泛的应用前景。这使得graphene的一些基本物理问题如输运性质、电子结构、传导机制等的解决变得比较重要。在本论文中,主要利用基于密度泛函理论的第一性原理对外加应力以及稀土元素掺杂graphene后的电子结构变化进行研究。
在graphene的带隙结构进行第一性原理计算中,纯graphene体系,是零带隙半导体。对其施加对称压力时,在一定程度上对电子结构有调制的作用,但需要施加比较大的对称压力。
在Y、La掺杂graphene体系中,graphene的金属性明显增强。外加压力时,在比较小的应变下可以使graphene能带和态密度变化比较大。但在增加到一定程度时,在应力和掺杂的双重诱导下,graphene中出现了起伏的褶皱,此时的赝带隙急剧减小,对电子结构的调控作用更加明显。La掺杂比Y掺杂情况的禁带宽度更窄,对带隙的调控作用更好。
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