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Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜作为一种新兴的半导体光电材料,不仅具有高电导率,可见光范围的高透过率,而且储量丰富,价格低廉,在氢等离子体中稳定性好,现已成为替代ITO薄膜的首选材料。本文采用实验室自制的超高密度的AZO陶瓷靶材,运用射频磁控溅射法制备了AZO薄膜,用XRD、SEM、四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对薄膜的性能进行表征和分析,研究了不同的工艺参数对薄膜结构,形貌,电学,光学性能的影响,并试探性的研制了AZO/ ZnO、ITO/ AZO复合薄膜。主要结论如下:XRD和SEM