用于多阳极PMT的CMOS放大成形ASIC的研制

来源 :中国科学院研究生院 中国科学院高能物理研究所 中国科学院大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:julia_203
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多阳极光电倍增管MaPMT以其位置灵敏,时间响应快,放大倍速高等特点得到了比较广泛的应用,如高能所的PET(正电子发射谱仪)项目使用了大量此类器件。但其后续的常规PCB放大电路显示出体积大,功耗大,噪声高等各种缺点。  因此,基于此类光电倍增管特性研制了4通道集成放大成形读出电路,设计上主要考虑保留其快速信号的特点,并为以后升级做准备,采用“电流型运放+秋分电路+CR-RC有源滤波成形电路”的结构,其性能参数为  1.功耗66mW;2.增益为62.2 mV/pC,可调节(0.85-1.20,调节最小档位0.05);3.输入动态范围13.8pC时,积分非线性=1.4925%;4.输入阻抗30-100欧姆可调;5.可调极零相消电路;6.事例率100K;7.信噪比‘9.1’,噪声不随输入电容的增加而增加.  芯片的综合指标达到设计要求,有一定的应用价值。并且此结构还有进一步升级扩展功能的空间。
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