【摘 要】
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纳米电子学的发展是建立在纳米材料的制各和表征的研究基础上的。在众多的纳米材料中，氧化钨纳米材料由于其在场发射、电致变色、气体传感器、光催化和光电器件等方面的潜在应
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纳米电子学的发展是建立在纳米材料的制各和表征的研究基础上的。在众多的纳米材料中，氧化钨纳米材料由于其在场发射、电致变色、气体传感器、光催化和光电器件等方面的潜在应用得到了广泛关注。
本文研究了在没有催化剂的情况下，用反应热蒸发法在加热炉中制备出了各种氧化钨的纳米结构。这种方法的特点是有良好的可控性、可以用多种方式引入氧。我们分别采用了扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDX)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品的形貌、化学成分和晶体结构进行了研究。在不同的制备条件下，我们分别得到了(1)WO<,3>纳米棒；(2)W<,18>O<,49>微米管；(3)WO<,3>纳米颗粒；(4)WO<,3>纳米薄纱。据我们所知，WO<,3> 纳米颗粒和W03纳米薄纱之前还没有见报道过，并且这两种纳米结构有很好的应用前景。根据实验结果我们探索了实验中几种参数对纳米结构制备的影响，其中加热温度、水蒸气的分压对样品形貌的控制有很大的影响。我们对以上氧化钨纳米结构的生长机理进行了讨论，并相应的提出了几种生长模型：(1)三氧化钨纳米棒由蒸发．沉积过程形成，而成核与密集生长对制备阵列非常关键；(2)W<,18>O<,49>氧化钨微米管是先由WO<,3>纳米棒拼接成管状结构，而后来的高温情况下的还原反应得到了W<,18>O<,49>管；(3)和(4)在控制好合适的反应条件下，先得到WO<,3-y>接着进一步氧化得到三氧化钨颗粒或纳米薄纱。
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