【摘 要】
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该课题系统分析了集成电路硅单晶衬底片表面颗粒污染的形成过程与现理;提出了硅片表面吸附物吸附动力学过程和优选吸附数学模型及吸附物吸附状态控制机理;提出了控制污染的关
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该课题系统分析了集成电路硅单晶衬底片表面颗粒污染的形成过程与现理;提出了硅片表面吸附物吸附动力学过程和优选吸附数学模型及吸附物吸附状态控制机理;提出了控制污染的关键因素和实现方案,通过创造物理吸附质为主的环境,有效降低颗粒污染;通过大量实验,确定选用多功能表面活性剂为物理吸附质;广泛研究了表面活性剂的性质和作用,特选复合非离子表面活性剂为清洗液试剂;利用表面活性剂的渗透和吸附特性,解决了已吸附颗粒的解吸问题,并在硅片和和颗粒表面形成保护层,防止颗粒二次污染;配合兆声清洗,提高了颗粒去除效率;对工艺参数进行调整,总结出了最佳的浓度、时间、温度、pH值等工艺条件,建立了一种成本低、效率高、易操作,适于工业化大生产,并且不危害环境的新型清洗方案,较好地解决了当前集成电路工艺中日益迫切的颗粒去除问题.
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