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该文以350g/L的硫酸铵为体系,在温度为30~60℃,pH为2.1~2.5的条件下,分别以恒电流法和恒电位法测量了不同条件下铬电极表面的析氢极化曲线.分析和探讨了铬电极表面析氢的电化学过程.叠加相同pH值,不同温度下测得的极化曲线,发现温度升高,极化曲线向正方向移动;同一电流密度下,氢在铬电极上析出电位的绝对值变小,促进析氢.通过对50℃,pH=2.1~2.5时测得的极化曲线进行叠加发现,电解液pH值降低,使析氢极化曲线的极限电流部分升高,并使析氢极化曲线向正方向移动,加速析氢.由曲线得到了大量不同条件下铬电极表面的析氢电位、过电位值,以及发生剧烈析氢时所对应的电流密度和电极电位值,补充了该方面电化学数据的不足.分别以电流密度的对数和过电位为横纵坐标对大电流密度部分的极化曲线作图,发现该部分极化曲线符合n=a+blgi的塔菲尔方程,且相同pH值、不同温度条件下的塔菲尔直线比较精确的通过一公共点.向硫酸铵溶液中加入各种表面活性剂,扫描极化曲线,发现阴离子、两性及中性表面活性剂的加入使析氢极化曲线向正方向移动,促进析氢;阳离于表面活性剂则可以吸附在电极表面,覆盖铬电极表面的析氢活性点,增大析氢极化,有效抑制析氢反应.在50℃、pH=2.5的条件下,以12.5A/dm<2>的电流密度分别对不含添加剂的铬铵钒电解液和含有20mg/L十六烷基三甲基溴化铵的电解液进行电解操作,前者金属铬沉积的电流效率为15.94﹪,后者为24.02﹪,电流效率提高了8.08﹪,证明CTMAB在电解铬过程中确实起到了阻氢的作用.该实验采用甲醇还原铬酐的方法制备电解铬源,成本低、无污染,制得的电解液中杂质含量极低,保证了电解得到的金属铬的纯度.用ICP对实验制得的铬金属中杂质进行分析,几种主要杂质含量分别为:铝0.0218﹪、砷0.0007﹪、铜0.0038﹪、硅0.048﹪,远小于火法和以铬铁矿为铬源的电解法制得的金属铬中杂质的含量,显示出较大优越性.