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该论文的工作主要集中在以下三个方面:[1]以酞菁铜为研究对象,利用经典的薄膜生长理论解释了生长条件对薄膜形态结构的影响.然后在薄膜生长理论的指导下,制备出大尺寸,高有序,连续的酞菁铜薄膜.在这个基础上获得了基于酞菁铜薄膜的有机薄膜晶体管目前最高的迁移率.并且成功的将这种方法扩展到了平面型单酞菁、全氟代酞菁铜、并五苯等多个有机半导体材料上.[2]发明了一种新有机薄膜晶体管构型,夹心型有机薄膜晶体管.通过提高器件中的载流子注入,将基于金属酞菁薄膜的有机薄膜晶体管的迁移率提高了一个量级,接近了金属酞菁单晶中的迁移率,达到了目前平板显示中的大量使用的非晶硅薄膜晶体管的水平.并且成功的将这一构型扩展到了更广阔的有机半导体材料上.[3]利用两种单金属酞菁共晶复合得到了比单一组分具有更高迁移率的酞菁共晶复合材料的同时,发明了一种利用两种有机半导体材料复合来获得高迁移率有机半导体材料的物理方法.利用多种表征手段对单金属酞菁共晶材料进行了表征,寻找到了单金属酞菁共晶复合材料高迁移率的原因.