【摘 要】
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该文利用了磁隧穿谱和磁光光谱的方法研究了一种共振隧穿结构在垂直磁场下的输运和光学性质.在这种共振隧穿结构中,电子从一端到另一端的运动牵涉到电子的子带同弛豫过程.由
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该文利用了磁隧穿谱和磁光光谱的方法研究了一种共振隧穿结构在垂直磁场下的输运和光学性质.在这种共振隧穿结构中,电子从一端到另一端的运动牵涉到电子的子带同弛豫过程.由于垂直磁场导致电子子能带发生朗道劈裂,使得电子的子带间弛豫过程发生变化,从而影响了整个样品的输运和光谱性质.磁隧穿谱的测量发现,隧穿电流随垂直磁场的增强而迅速减小.这是首次通过输运实验验证了垂直磁场对电子子带间弛豫过程的影响.为了证实所提出的物理机制,研究人员计算了垂直磁场对电子子带间跃迁过程的影响,建立了基于速率方程的双能级模型,同时还考虑了朗道能级的均匀展宽和样品本身的非均匀发展,很好的拟合了实验数据.研究人员进一步用磁光光谱实验验证了上述物理现象.该论文工作表明,对于有电子子带间弛豫过程参考与的共振隧穿结构来说,在垂直磁场的作用下会表现出与通常结构非常不同的输运和光学性质:共振电流的磁抑制和发光峰E<,1>-HH<,1>随磁场增加产生异常的红移.研究人员所讨论的物理机制对于任何带有子带间弛豫的顺序隧穿过程局域普遍性,而且还提供了利用共磁隧穿详细来研究子带间弛豫过程的新的可能途径.
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