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该文针对BDJ波长探测器作了如下工作:(1)根据BDJ的工作原理对光电流比值随波长的变化关系进行了理论计算.光电流包括漂移电流和扩散电流两个部分,漂移电流根据光在硅材料中的光致产生电流可以得到,扩散电流则通过解加光情况下的扩散方程得到.对已知结构参数的n-p-n结构进行了理论计算和实际测量,结果发现理论计算结果与测量结果吻合,从而证明了计算方法的可靠性.(2)利用计算设计出期望的n<+>-p-n结构的探测器结构参数,包括第一个结的深度以及p型层的浓度.用ISE TCAD软件模拟形成该结构所需的离子注入能量和剂量.通过理论计算设计出表面减反膜的厚度,使短波长的光在表面有最小的反射系数.(3)对基于区熔硅材料的带保护环的条形X光阵列探测器进行了实验研究.结果表明,保护环的存在不仅降低了表面漏电,而且抑制了耗尽区的侧向扩展.厚度为300μm的探测器样品,切割后的"死区"长度(探测器的条形末端和器件边缘之间的区域)为150μm;环境温度为18℃时,70V偏压下加保护环测得的探测器完全耗尽时的漏电流为20nA(条形尺寸5mm×80um).(4)设计版图和工艺流程进行流片.根据国内外的研究现状和实验室的条件做了几点创新的研究.首先,采用区熔单晶硅材料来制作低漏电的探测器.通过对五次流片的结果进行分析和比较确定了最终的工艺条件,根据这个条件制作出了漏电特性比美国Pacific Silicon Sensor Inc.(太平洋公司)还要好的器件.探测器的漏电流为6nA/cm<2>,比太平洋公司用外延硅材料做的器件的漏电小将近一个量级.其次是用不同的接线法对器件进行了光响应测量,并对各种方法的优劣进行了分析比较.用太平洋公司的接线法波长分辨率最高,器件的光电流比值在450nm~900nm的范围内有很好的单调性,波长分辨率小于1nm.第一个结的光响应峰值达到了0.16A/W,稍小于太平洋公司的结果(0.2A/W);第二个结为0.52A/W,比太平洋公司的结果(0.45A/W)还要好.在制作单管的同时制作了2×8的阵列探测器并进行了测量分析,为以后的阵列探测器应用打下了基础.最后针对复色光进行了理论计算,计算表明BDJ可以分辨峰值不同的准单色光.(5)采用FC型光电二极管管壳进行了单管封装,得到了完全能够实用化的器件.封装之后的电学测量和光响应测量表明器件特性没有因为封装而改变.