高能束辐照下铝中空位簇缺陷的形成与演化

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本文采用高纯铝薄膜作为实验样品,通过空间环境模拟装置产生的质子束流对其进行辐照,对质子束模拟辐照后材料内部形成的晶体缺陷尤其是空位簇缺陷进行观察和分析,探讨这些结构缺陷的形成与演化规律及其与材料变形行为之间的关系。1)质子辐照能够在Al薄膜中诱发空位位错圈,在实验范围内,随辐照剂量增加,位错圈数量密度增加,空位倾向于形成较大的空位簇缺陷。2)样品中的位错密度随辐照剂量的增加而增加。3)在较高辐照剂量情况下,样品中出现胞状结构,胞壁之间有角度很小的取向差,这种胞状结构与材料力学性能的退化关系密切。研究不同强流脉冲电子束(HCPEB)辐照条件下多晶纯铝的变形结构特征,确定应力的特征、产生机制及传播规律;通过表征铝中的变形结构,研究铝在HCPEB辐照作用下的变形行为;探讨铝的形变孪生机制。HCPEB轰击可在未熔化的纯铝表面诱发孪生塑性变形,诱发的应力超过1GPa,冲击应力是导致材料深层性能与组织变化的根本原因。
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