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鉴于Si、III-V半导体的高折射率和大色散关系,降低表面反射对太阳能电池、光电探测器等光电转换器件提高光吸收和光电转换效率来说是至关重要。通常实现减反的方法是蒸镀单层或多层减反膜,但该种基于干涉相消原理的减反效果不能满足太阳光谱的需求,且该种减反膜的减反效果对入射光的入射角非常敏感,也不适合太阳能电池全天候获得高效。近年来,多种纳米结构从理论上和实验上均证明其可获得较好的宽谱广角减反效果,成为太阳能电池优化表面获得高效的热门方案。本文以实现Ga In P单结电池高效减反、提高电池光电转化效率为目标