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论文对外电场作用下,InGaAsP材料应变多量子阱电吸收调制器的吸收谱作了全面的理论分析,并以此为工具,研究了张应变多量子阱电吸收调制器的偏振无关工作和啁啾特性.
应变多量子阱电吸收调制器的研究
【摘 要】
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论文对外电场作用下,InGaAsP材料应变多量子阱电吸收调制器的吸收谱作了全面的理论分析,并以此为工具,研究了张应变多量子阱电吸收调制器的偏振无关工作和啁啾特性.
【机 构】
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清华大学
【出 处】
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清华大学
【发表日期】
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2000年期
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