高性能量子点发光二极管器件结构与电荷平衡的研究

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量子点电致发光二极管(QLEDs)是一种新兴的平板显示与固态照明技术,具有颜色可调,色彩饱和度高,可柔性制备以及制作成本低等显著特点,在全彩柔性显示领域有着广泛的应用前景。制备高效率长寿命的三基色QLEDs是实现QLEDs产业化的必要保证。然而,目前QLEDs器件由于受电子-空穴不平衡的限制,它在实用亮度下(100~1000 cd/m2)的发光效率还有很大的提升空间。尤其是受注入势垒限制的蓝光QLEDs器件,其发光和寿命性能更是落后于红光、绿光QLEDs器件。因此,为了制备高性能QLEDs、推进QLEDs技术的实用化,对器件内部的电荷平衡研究是一个重要的、不可避免的问题。为此,本论文基于有机-无机杂化的倒置结构器件,拟从QLEDs器件结构调控入手,主要通过QLEDs器件功能层材料的优化,功能层的掺杂以及界面修饰,来增强器件的电荷平衡,从而达到提高QLEDs器件性能的目的。首先,我们对器件功能层材料和器件结构与工艺两个方面进行探索。对材料的光物理性质,量子点颗粒的尺寸、分散性、结晶性进行了一系列的表征测试,并且制备了倒置有机-无机杂化结构红光QLEDs器件。通过对器件的每一层功能层进行优化,我们发现基底上所形成的量子点薄膜对有机小分子空穴传输层的成膜有直接影响,这为接下来的研究奠定了坚实的基础。其次,我们在QLEDs器件的发光层中引入聚合物PVK掺杂剂。这种掺杂可促进空穴注入/传输并抑制电子传输,增加器件中电荷平衡。基于PVK掺杂的量子点层薄膜基底上蒸镀的CBP薄膜具有较小的表面粗糙度。另外,我们还对比了不同发光层对载流子注入/传输性能、空穴传输层成膜性能以及器件性能的影响。经过优化,基于PVK掺杂发光层的红色QLEDs器件,实现了 19 cd/A的最大电流效率,相应地,外量子效率(EQE)高达16.8%,是参考器件的1.6倍。最后,我们利用聚乙烯亚胺乙氧基化(PEIE)掺杂ZnO纳米晶作为电子注入/传输层薄膜,它可降低ZnO的功函数,降低电子注入蓝光量子点的势垒。同时,PEIE掺杂的ZnO薄膜导电率降低,有利于器件中电子-空穴的平衡。基于PEIE掺杂ZnO倒置结构蓝色QLEDs器件,器件的功率效率提高了 3.8倍。此外,我们制备并展示了红、绿、蓝三基色大面积柔性QLEDs器件,色坐标分别为(0.69,0.31),(0.21,0.74)和(0.14,0.05),其色域面积为NTSC 1931 的 115%。
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