【摘 要】
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该文在研究自组织In(Ga)As/GaAs量子点的分析束外延生长和物性的基础上,通过几种方法都成功的得到了具有室温1.3~1.55μm发光波长的量子点材料.该论文开展的主要研究内容有结
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该文在研究自组织In(Ga)As/GaAs量子点的分析束外延生长和物性的基础上,通过几种方法都成功的得到了具有室温1.3~1.55μm发光波长的量子点材料.该论文开展的主要研究内容有结果有:1)利用EEM,AFM,PL谱等测量手段,系统的研究了不同In组分的InGaAs以及AlAs覆盖层对不同生长条件下所形成的In(Ga)As/GaAs量子点的影响.2)系统的研究了(InAs)<,n>(GaAs)<,n>(0≤n≤0.2)循环嵌套方式生长的In<,0.5>Ga<,0.5>As量子点,成功的得到室温1.35μm发光的In<,0.5>Ga<,0.5>As量子眯材料.3)采用较低的生长速率(交替生长)分虽生长了不同In组分的InGaAs覆盖层下的不同厚度的InAs量子点.4)对多层垂直耦合1.3μm发光InAs量子点的研究发现,由于层间应力的相互影响,量子眯发光峰随层间间隔层厚度的增加会朝能方向移动.5)研究了低温GaAs外延层上生长的InAs量子点.6)获得了两种In(Ga)As/GaAs材料在~1.55μm发光的方法,一种是在较低的生长温度下生长较厚的InAs量子点;另一种是原子氢辅助生长的In<,0.2>Ga<,0.8>As量子阱.
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