硒化合物与凝集素的关系及在阿尔茨海默症中的作用机制

来源 :中国科学院大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wolfseason
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
阿尔茨海默症(Alzheimers disease,AD)是常发于老年人群的一种慢性神经退行性疾病,脑内出现老年斑和神经元纤维缠结是其显著病理特征,临床表现为记忆力衰退、判断力和理解力下降等。近年来随着我国人口老龄化程度不断加剧,AD患病率的增加会带来严重的医疗负担和社会压力。然而目前对AD的治疗并没有达到令人满意的效果,对AD治疗药物的研发是亟待解决的问题。  硒是人体必需微量元素,对人体多种生理功能起着重要的作用,是减缓衰老的重要因素。含硒药物对AD等神经退行性疾病有预防作用。凝集素(Clusterin,Clu)与AD发病密切相关的,能通过多种不同的途径参与到AD的病理过程。硒化合物和Clu之间的关系以及在AD中的作用机制,少见文献报道。因此本文围绕硒化合物与Clu之间的关系及在AD作用机制展开研究,为AD特异性延缓和治疗药物的研发提供科学依据。  本文构建了能够高效地、特异性地降低细胞中Clu表达的干扰载体。在N2a和SH-SY5Y细胞中成功干扰了Clu的表达。发现Clu基因的干扰降低了细胞总抗氧化能力和Bcl-2/Bax的比例,提高了Bad基因的表达和Caspase-8的活性,引起了细胞凋亡。而1μM的硒甲基硒代半胱氨酸(Se-methylselenocysteine,MSC)处理24h后可明显提高细胞抗氧化能力和Bcl-2/Bax的比例,下调Bad的表达,降低Caspase-8的活性,从而抑制细胞凋亡,维持细胞活力。  在N2a-swe和SH-SY5Y细胞中,Clu基因的干扰,引起了APP和Bace-1的上调、增加了细胞内和培养介质中Aβ的产生。同时,还可增加GSK-3β的活性,降低PP2A的活性、促进细胞内Tau蛋白的过度磷酸化。而在干扰Clu表达的细胞中加入Na2SeO4,可以下调APP和Bace-1表达减少Aβ的产生,并且降低GSK-3β的活性,增加PP2A的活性而抑制细胞内Tau蛋白的过度磷酸化。另外,Na2SeO4还能通过增加SelR和SelP的表达,提高Gpx的酶活来增加细胞的抗氧化能力。因此,Clu和Na2SeO4在AD中发挥着重要的作用,他们通过维持细胞总抗氧化能力、减少Aβ的产生和降低 Tau的过度磷酸化参与到AD的发生与发展中。另外,本文还运用免疫共沉淀(Co-Immunoprecipitation,co-IP)和荧光共振能量转移(fluorescence resonance energytransfer, FRET)发现并验证了SelR与Aβ之间的相互作用,结合SelR和Clu之间的相互作用初步探讨了SelR、Clu与Aβ之间的关系及其对AD的影响。  在SH-SY5Y细胞中研究发现铁离子可以增加细胞内的ROS、降低PP2A的活性,增加Tau的过度磷酸化。而Na2SeO4可以降低铁离子引起细胞内的ROS,提高PP2A的活性,降低Tau过度磷酸化。  综上所述,本论文探究了硒化合物与Clu的关系及在AD中的作用机制,发现它们可能通过以下三个方面参与到AD的病理过程:一,维持细胞总抗氧化能力、Bcl-2/Bax的比例和Caspase-8活性,调控神经细胞的凋亡;二、减少Aβ的产生和降低Tau的过度磷酸化;三、降低铁离子引起的Tau过度磷酸化。上述结果为开发延缓和治疗AD的药物提供线索。
其他文献
功能化的氮杂大环及其金属配合物性质的研究已成为配位化学中的一个热门课题,这种研究对更新大环概念、阐明更为精致奥妙的结构和功能关系、以及配位化学理论的发展有着十分
聚合物刷由于其独特的物理和化学性质引起了众多学者的广泛研究兴趣。由于强的表面共价接枝修饰,聚合物刷能有效地控制和改变基体界面和表面的性质,因此在表面改性及聚合物胶体
学位
学位
稀土掺杂的无机纳米晶具有优异的物理化学特性,如长的荧光寿命,大的斯托克斯(Stokes)或反斯托克斯(anti-Stokes)位移,窄的发射带,高的化学稳定性和低毒性等。因此,与传统的分子探
该论文完成了对两类超薄有序有机膜的Langmuir-Blodgett组装,通过对组装体的超结构和光,电特性的研究,证明这种有机膜是可以人为设计,人工裁剪的具有智能结构和电光智能特性
学位
金属-金属键化合物在理论和应用上都有极其重要的意义,特别是金属多重键化合物具有丰富的反应活性,它们是合成金属有机和原子簇化合物的重要前体.为深入探讨金属键的反应性,
该文选择Li/PC-DME-LiClO/VO(-PO)作为研究电池体系.在实验过程中不断设计和改进模拟币式电池壳体,并摸索出一套独特的电池组装工艺,如片状阴极和薄膜阴极的制备.
学位