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半导体微腔激光器是当前半导体光电子学与光子学中迅速发展起来的一个前沿新领域.该文从谐振腔量子电动力学角度研究了半导体微腔激光器工作的基本原理和基本特性,着重讨论了半导体微腔激光器自发辐射增强效应,速率方程理论和无阈值、调制性能好、无噪音等特性.还用二维亥姆霍兹波动方程求解了GaAs/AlGaAs半导体微盘激光器的模式分布,最后用LPE法生长了GaAs/AlGaAs微盘激光器的外延片子,用光刻、干刻和湿刻等微加工技术做出了GaAs/AlGaAs微盘激光器的图钉式结构.从而对这种新型的半导体激光器件的制作和完善具有一定的指导作用.