【摘 要】
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通过第一性原理的计算，本文研究了Li1Si1和Li2Si1两种锂硅合金中锂离子迁移行为。对体相和表面相的空位锂迁移以及间隙位锂迁移都进行了研究。选取迁移路径进行优化并对相应的迁移势垒进行计算。结果表明：在体相中的空位锂离子迁移所需要克服的势垒是很低的，可是在体相直接形成锂空位的形成能却很高。说明如果锂硅合金体相中有足够多的锂空位，那么在其中的锂离子迁移是很快的。因为过高的空位形成能，所以在室温下体
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通过第一性原理的计算，本文研究了Li1Si1和Li2Si1两种锂硅合金中锂离子迁移行为。对体相和表面相的空位锂迁移以及间隙位锂迁移都进行了研究。选取迁移路径进行优化并对相应的迁移势垒进行计算。结果表明：在体相中的空位锂离子迁移所需要克服的势垒是很低的，可是在体相直接形成锂空位的形成能却很高。说明如果锂硅合金体相中有足够多的锂空位，那么在其中的锂离子迁移是很快的。因为过高的空位形成能，所以在室温下体相中直接形成空位的确很困难，但是可以通过在表面或界面上的锂脱出形成空位后然后向体相迁移的方式来实
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