【摘 要】
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铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)薄膜太阳电池具有光电转换效率高、弱光性好、禁带宽度可调等优点,备受光伏界的关注。该电池由Mo背接触电极、CIGS光吸收层、CdS缓冲层、ZnO/ZnO:Al窗口层、金属前栅线电极和MgF2减反层等多层功能材料构成。电池器件的光电转换效率、稳定性等性能,直接受每层薄膜质量的影响。本论文对部分薄膜层进行优化,以期得到高效稳定的CIGS薄膜太阳电池。主要开展
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铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2,CIGS)薄膜太阳电池具有光电转换效率高、弱光性好、禁带宽度可调等优点,备受光伏界的关注。该电池由Mo背接触电极、CIGS光吸收层、CdS缓冲层、ZnO/ZnO:Al窗口层、金属前栅线电极和MgF2减反层等多层功能材料构成。电池器件的光电转换效率、稳定性等性能,直接受每层薄膜质量的影响。本论文对部分薄膜层进行优化,以期得到高效稳定的CIGS薄膜太阳电池。主要开展了以下几个方面的研究:(1)研究了溅射底层Mo薄膜的工作气压以及底层Mo薄膜的膜厚对Mo薄膜及其CIGS
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滑坡前部深基坑开挖是滑坡治理工程的大忌,但这种做法屡见不鲜,灾害实例不胜枚举,因此,开展滑坡前部基坑开挖对其产生的影响研究具有重要的理论与现实意义。以临潼骊山Ⅱ区滑坡前部基坑开挖工程为研究背景,采用理论分析、现场监测及数值模拟相结合的方法,分析不同开挖工况下滑坡体、抗滑桩及基坑围护桩变形规律,以期揭示深基坑开挖的滑坡(支挡工程)响应,指导工程实践,主要结果及结论如下: (1)、基于滑坡基本特征及
氧化镓(Ga_2O_3)是一种新型的宽禁带半导体材料,禁带宽度约为4.98 eV,有五种同分异构体(α、β、γ、ε、δ),其中最稳定的是β-Ga_2O_3。β-Ga_2O_3有许多良好的物理性能,如:禁带宽度大,击穿场强高,介电常数大,在可见光和紫外光波段透过率高,热稳定性和化学稳定性好,在未来的电子器件中具有重要的应用前景,如:日盲紫外光电探测器、场效应晶体管、透明导电电极等。与一般氧化物半导体
金刚石膜具有优异的物理化学性能,如热膨胀系数和摩擦系数低、禁带宽度大、耐磨性优良、红外线透过率高、生物兼容性好,在光学、电学、生物学、机械领域具有广泛的应用前景,其制备工艺和功能化应用已成为当前材料科学研究的前沿热点。然而,高质量大尺寸金刚石膜是战略产品,在制备技术和产品受国外垄断的背景下,本文采用微波等离子体化学气相沉积方法,以自主研制的MPCVD装备为工具,通过优化工艺条件,实现了对金刚石膜纯
CeF_3晶体,其具有密度高、响应快、离子电导率高及独特的光学特性,可应用于化学传感器和光学元器件。氟化铈作为一种中折射率镀膜材料,透过范围从300nm到10μm,其是一种优良的光学镀膜材料,广泛应用于红外及紫外光学。由于镀膜材料所使用的氟化物材料对氧含量的要求非常严格,然而氟化物却普遍存在原料氧含量较高,难以满足应用需求的问题。因此,本课题以Ce0_2为原料,采用湿法工艺制备CeF_3并用于生产
压电阻尼材料通常是指在聚合物基体中加入压电陶瓷颗粒和导电粒子而制备的一类新型智能阻尼材料。在受到振动作用时,压电阻尼材料通过压电效应实现机械能向电能的转化,导电粒子再将电能在材料内部传导和转化并最终以热能的形式耗散掉。聚(3,4-乙烯二氧噻吩)是噻吩衍生物类导电高分子材料,英文缩写为PEDOT。采用化学氧化法制备PEDOT/PMN功能粉末,六水三氯化铁作为氧化剂,聚苯乙烯磺酸钠(PSSNa)作为掺
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具有磁电耦合效应和多铁性的钙钛矿氧化物材料在自旋电子学、信息存储和磁传感等领域有着非常重要的应用前景。PVA溶胶凝胶是一种简单易行的制备材料的方法,用于低温合成陶瓷粉末。本论文中,利用PVA溶胶凝胶方法制备了La_2MnCoO_6、La_(2-x)Sr_xM_(n1+y)Co_(1-y)O_6和Bi1-xLnxFeO3(Ln=La,Nd)粉末,分析了所制备样品的介电性能、磁性能和结构特征等,主要内
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离子注入是一种有效改善金刚石膜导电性能的表面改性技术,金刚石膜场发射性能的研究是制备场发射显示器冷阴极材料的基础。本实验采用离子注入技术和不同退火处理工艺,将100 keV、1×1017 ions/cm2剂量的Cu离子注入到由微波等离子化学气相沉积(MPCVD)方法自制的微米金刚石膜(MCD)中,并在不同的温度下进行退火,探索最佳处理工艺增强金刚石膜的场发射性能。在MCD膜表层合成Cu纳米颗粒(N