论文部分内容阅读
微通道板(microchannelplate，MCP)是一种二维的连续电子倍增器件，由很多个具备连续电子倍增特性的孔状结构依据某种特定的形状排列而成。硅微通道阵列因其具有特殊性结构而在很多方面诸如硅微通道板、微型化工仪器、微型生物芯片、微全分析仪等发挥其重要作用。硅微通道结构其有着十分广阔的应用前景及研究价值，吸引了越来越多科研人员的足够重视。 本文根据MCP电子增益及二次电子发射的相关理论研究，对Si-MCP打拿极的结构进行了设计，提出了SiO2(发射层)/PolySi(导电层)/SiO2/Si的打拿极结构。采用热氧化工艺、LPCVD技术制备了打拿极的各层材料，得到具有一定性能的Si-MCP样品，对打拿极各层薄膜的参数及Si-MCP的电子增益进行了测试。 在MCP打拿极制备及性能测试完成后，最后采取实验模拟方法对二次电子特性进行进一步深入研究。对以SiO2薄膜做打拿极的条件下依据二次电子发射机理，通过模拟实验，力求在理论上有新的突破。