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发展光电子集成技术需要硅基发光材料。晶体硅由于是间接带隙材料,其带间辐射复合效应非常低,难于达到发光器件的要求,这使得制备高效、稳定的Si基发光材料成为当前研究的一个热点。SiN_xO_y薄膜具有优良的物理性能和光电性能,所以这种薄膜已经成为研究硅基发光的侯选材料。本文采用磁控溅射法,在恒定溅射功率和衬底温度的前提下,通过改变溅射气氛中Ar、N_2与O_2的通入量,在单晶硅衬底上生长非晶SiN_xO_y薄膜,在N_2保护下对样品进行高温退火。通过对退火后样品的红外吸收(FTIR)光谱和光