高介电常数CaCu<,3>Ti<,4>O<,12>薄膜制备及其性能研究

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【摘要】

：

随着微电子器件的尺寸进一步的减小，高介电常数材料在微电子器件中，特别是在动态随机存储器(DRAM)的应用中，扮演着重要的角色。近年来一种不寻常的钙钛矿结构的材料CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)由于其具有高介电常数而引起了研究人员的关注。目前对这种材料的研究主要集中在体材料上，对其薄膜研究基本上还局限于单晶基片上生长的薄膜。而考虑与集成电路的相兼容问题，在硅基上制备出高质量的CCTO薄膜

【作者】

：

方亮

【机构】

：

苏州大学

【发表日期】

：

2004年05期

【关键词】

：

脉冲激光沉积介电性能结构性质缓冲层晶界退火后处理

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