【摘 要】
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用射频磁控溅射法在玻璃、蓝宝石、硅、二氧化硅等衬底上成功制备出ZnO薄膜并研究了薄膜的发光特性及发光特性与制备条件、激发光波长、激发强度及热退火等因素的关系.通过对
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用射频磁控溅射法在玻璃、蓝宝石、硅、二氧化硅等衬底上成功制备出ZnO薄膜并研究了薄膜的发光特性及发光特性与制备条件、激发光波长、激发强度及热退火等因素的关系.通过对在不同衬底上制备的ZnO薄膜的研究发现：1.在四种衬底上制备的ZnO薄膜都为六角纤锌矿的多晶结构,具有c轴垂直于衬底的择优取向.在衬氏不加热的情况下在蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜具有c轴垂直衬底的单一择优取向性.在玻璃、硅、石英衬底上生长的薄膜只有在较高的衬底温度下才长成C轴垂直于衬底的单一择优取向.高温退火也可以改善薄膜的结构特性,使择优取向特性变好,晶粒变大.2.所制备的薄膜在可见光区透过率大于86﹪,利用透射谱可算出薄膜的禁带宽度约为3.2eV,不同衬底上的薄膜其禁带宽度稍有不同.3.制备条件对发光特性有很大影响.4.激发波长对薄膜的发光有很大的影响.5.在玻璃衬底上制备的样品中出现的波长为446nm的蓝色发光是来源于电子从氧空位形成的浅施主能级到价带底的跃迁.
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