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【摘 要】
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(Al)GaN基材料为直接宽带隙半导体,带隙在3.4eV(GaN)到6.2eV(AlN)的范围内连续可调,具有良好的化学和热稳定性,是制备高效紫外LED的理想材料。(Al)GaN基紫外LED具有零污染、
【出 处】
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大连理工大学
【发表日期】
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2015年01期
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