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在过去的几十年里,集成电路工艺得到飞速的发展,然而,微电子器件尺寸的进一步小型化将遇到很多根本性的物理问题。2010年,合成的石墨炔薄膜显示出类似于硅半导体特性。之后,石墨炔碳纳米管阵列以及石墨炔纳米线也成功合成,表明石墨炔有望取代硅成为下一代集成电路的核心材料。但是,到目前为止并没有关于成功合成单层石墨炔的报道。因此我们需要回答如下问题：单层石墨炔在室温以上条件下其寿命如何?能否像石墨烯一样在真空中稳定存在?最近建立的基于单原子统计的物理模型已成功地应用于预测纳米器件寿命以及表面吸附原子扩