【摘 要】
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室温单电子现象的研究将为新一代超高密度信息存储器件的开发提供相应的理论基础 ,不论从基础还是应用的角度看,都及其极其重要的意义.作者在查阅了大量相关文 献的基础上,将
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室温单电子现象的研究将为新一代超高密度信息存储器件的开发提供相应的理论基础 ,不论从基础还是应用的角度看,都及其极其重要的意义.作者在查阅了大量相关文 献的基础上,将论文定位在利用扫描隧道显微技术,自组装技术以及现场化学反应技 术相结合的方式构造微小双隧穿结结构上.作者主要采用两方法-云母剥离法和金球 烧制法制备原子级平整金Au(111)基底.通过比较筛选出金球烧制法所得到的平整金基底更适合于室温单电子现象的研究.在室温大气条件下,在CdS和PbS两种纳米粒子体 系上,观察到Ⅰ-Ⅴ曲线中明显的库仑阻塞和库仑台阶现象.同时作者还发现:其库 仑阻塞和库仑台阶宽度随所设置的隧道电流值的改变而变化,即随空气结电容的增大 而减少的规律.根据半经典的单电子现象理论,作者对实验数据进行了模拟,获得了 各隧道结参数,同时发现模拟所得Ⅰ-Ⅴ曲线与实验结果符合的很好 ,最后作者对所得结果进行了合理的解释.
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