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由于纳米尺寸的垂直磁各向异性自旋阀具有良好的热稳定性、翻转稳定性以及低翻转电流等特点,在研发高密度磁随机存储器(MRAM)方面具有极大的潜在应用前景,从而吸引了研究人员的广泛关注。本文的工作就是针对MRAM用垂直磁各向异性自旋阀进行性能优化,采用的方法主要包括两方面:第一,采用垂直磁各向异性的人工合成反铁磁(synthetic antiferromagnet; SAF)结构;第二:采用TbCo与[Co/Ni]N多层膜的耦合结构。本论文主要内容如下:关于人工合成反铁磁结构,我们成功制备