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第一代白光LED早在1996年就已经被报道,由Ⅲ-Ⅴ族半导体InGaN芯片与黄色荧光粉YAG:Ce封装制成,InGaN发出蓝光,YAG:Ce吸收一部分蓝光并发出黄光,然后黄光和蓝光混合后发出白光。这种在半导体LED芯片上涂覆粉末制备的白光LED光源具有许多优点,如稳定性好、发光效率高、使用寿命长、能量损耗低等。所以白光LED在照明、显示和固态激光等领域都有着非常广阔的应用前景,受到了广泛的关注。并且作为第四代光源已经逐渐取代了传统白炽灯和荧光灯。在本文中,作者通过在同一基质(钒酸盐)中双掺入两种稀土元素,所获得的荧光粉在单一波长的紫外光激发下就能发射白光。用这种荧光粉构造的白光LED在器件设计和制备方面变得更为简便,成本会更低,发光稳定性也会增强。本文的目的就是研究两种稀土元素含量比率对发光强度的影响。各章节主要内容概述如下：第一、二章：首先概述了白光发射的几种模型,对比了传统的热辐射、阴极射线和LED的光发射,LED有着许多优势。接着列出了几种主要的白光发射的表征手段。对稀土双掺钒酸盐基质的白光发射的研究进展和制备方法做了总结。目前,在钒酸盐基质中双掺入稀土元素获得白光的研究还处于起步阶段,研究如何获得高纯度、显色性好的白光具有重大意义。第三章：用传统的固相法制备了Sr2.5DY1/3-xEUxV2O8(0≤x≤1/3),在紫外光的激发下,样品能同时发出Dy3+的黄光和Eu3+的红光。而且,随着Eu3+浓度的变化,黄光和红光的强度比发生明显的变化,这说明我们可以用改变Eu3+的浓度来获得所需要的白光。另外,我们进一步在Sr2.5DY1/3-xEUxV2O8(0≤x≤1/3)中掺入Bi元素,发现Bi的掺入有利于提高稀土元素的发光强度。第四章：用固相法首先制备了Ba3(1-x)Ce2xV2O8(0≤x≤0.1)系列样品,发现x=0.8的样品Ce的发射最强。随后用固相法制备了Ba3(o.92-y)Ceo.16Eu2yV2O8(0≤y≤0.1)系列样品。在发射光谱中,我们可以观察到样品能同时发出Ce3+的紫光(428nm)、蓝光(473nm)和Eu3+的红光(597、618和654nm),这表明基质能将吸收的能量有效传递给激活剂离子Ce3+和Eu3+。而且随着Eu离子浓度的增加,Ce3+的发光强度变化不大,从最强的160.2到116.5,变化范围只有40。而Eu的发射强度从584.7到49.36变化范围超过500。所以我们可以通过调节Eu3+的浓度来调节蓝光和红光的强度比,从而来获得所需要的白光。最后对全文进行了总结和展望。