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移动通讯网络发展迅速，从1G网络到2G网络，再到现在已经相当普及的3G，随着人们的需求日益提高，移动通讯网络会继续迅速的发展下去，4G是第四代移动通信及其技术的简称，是集3G与WLAN于一体并能够传输高质量视频图像以及图像传输质量与高清晰度电视不相上下的技术产品。与3G网络相比，4G网络的下载速度，上传速度，应用等方面均有了很大的提升。移动通讯网络的飞速发展对通信系统中的接收机有了越来越高的要求，因此接收机中的射频芯片成为研究的热点。本文对应用于TD-LTE-Advanced系统接收机中的低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)与混频器(Mixer)进行了研究与设计。
本课题采用了SMIC0.13-μm RF CMOS工艺设计了应用于TD-LTE-Advanced系统接收机中的LNA。本课题介绍了低噪声放大器中的指标，介绍了几种常用的输入匹配方式，并详细分析LNA各个部分的设计过程。本课题设计的LNA是以源极电感负反馈结构为基础的，并且引入了负反馈电阻以及并联峰化技术，从而起到了扩展带宽的作用。本课题设计的LNA的指标为:S21＞15dB，S11＜-10dB，S22＜-10dB，NF＜3.5dB。
本课题采用了SMIC0.13-μm RF CMOS工艺设计了应用于TD-LTE-Advanced系统接收机中的Mixer。本课题介绍了Mixer中的指标，介绍了Mixer的指标对接收机性能的影响，介绍了几种常用的Mixer的结构，并详细分析Mixer各个部分的设计过程。本课题设计的Mixer采用了低压折叠式双平衡混频器结构，并且已对芯片分别进行了在片测试以及键合测试。本课题设计的Mixer的指标为:CG＞0dB，IIP3＞-5dBm，NF＜18dB。