【摘 要】
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薄膜晶体管是一种重要的半导体器件,它是实现有源导址平板显示器的关键元件.该文主要研究了两种可在低温下制作的多晶薄膜晶体管-多晶锗硅薄膜晶体管和金属诱导横向结晶多晶
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薄膜晶体管是一种重要的半导体器件,它是实现有源导址平板显示器的关键元件.该文主要研究了两种可在低温下制作的多晶薄膜晶体管-多晶锗硅薄膜晶体管和金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管.在锗硅晶体管研究中,研究人员首先围绕以往文献中存在的一些问题,如为何n型锗硅薄膜的电阻率在锗含量超过50%后随之急剧上升,锗硅薄膜的电特性与锗含量、工艺条件有何关系,为什么等等,研究了材料电特性与材料中锗的含量、工艺条件、材料中缺陷态等的关系,研究结果不仅解答了上述问题,还得到了使掺杂多晶锗硅薄膜电阻率最小的最佳退火条件.这些研究为锗硅薄膜晶体管制作打下了良好的基础.
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