0.18μmCMOS工艺5GHz WLAN低噪声放大器和Low-IF下变频器

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最近十年,网络与无线通信的迅猛发展极大地推动了社会的信息化进程.一方面,各种信息,包括文字、图片、声音和图像,广泛地通过网络传播到信息终端,网络的各种业务已渗透到各行各业.另一方面,各种无线通信技术的广泛应用已经使人类摆脱了通信场所的限制,基本实现了随时随地通信的梦想.为了适应信息爆炸增长对通信领域的更高要求,人们渴望将网络和无线通信的优点合而为一.具体米说,就是人们的智能终端不需要通过不同类型的连接线米连接,而是直接以无线方式、低成本接入当地的有线网络,实时地共享并交换各种信息资源,无线局域网(WLAN)技术正是在这种背景下产生的.本课题采用TSMC 0.18μm的CMOS工艺设计并实现用于IEEE 802.11a 5GHz WLAN系统的射频接收机中的低噪声放大器(LNA)和低中频下变频器(Dowr Converter).其中,LNA的主要功能是将天线接收到的微弱信号在引入较低的噪声的情况下进行放大.输入端要求实现50欧姆阻抗匹配.Down Converter将LNA输出的信号与本振信号(LO)混频产生低中频信号,要求噪声低、线性度高并提供适当的增益.本论文第二章介绍接收机的基本结构及其性能参数.第三章介绍了集成电路的工艺渠道,工艺选择和设计流程.第四章介绍了LNA阻抗匹配的几种结构,在此基础上确定了源极电感反馈式结构.然后对LNA的噪声进行了分析和优化,给出了电路的仿真结果.论文第五章首先介绍变频器的基本原理和几种不同的电路结构,引入了差分平衡Gilbert式结构,通过对变频器噪声机理的分析,在原有的结构上增加了电流注入模块.最后给出了电路的仿真结果和芯片照片.第六章介绍芯片的测试,包括在片测试和基片测试,LNA的测试结果表明电路工作在4.7GHz的增益为15.7dB,噪声为2.5dB,1dB增益压缩点对应的输入功率为-9.6dBm,基本满足指标.变频器的测试工作已在进行中.
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