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二氧化钛作为一种半导体材料,具有制备成本低,结构稳定等特点。但是二氧化钛也有禁带宽度过大,光生空穴与光生电子复合率高,表面活性不高等问题,使得二氧化钛的使用范围大大受限。提高二氧化钛性能的方法主要是复合改性和掺杂改性。本项目通过提高光催化剂的表面活性、减小光催化剂的禁带宽度等方法,从而提高光催化效率:采用锐钛矿相二氧化钛(001)高能面暴露的方法提高表面活性;通过高能面暴露的二氧化钛与四氧化三铁、磁性壳聚糖复合,调整禁带宽度降低光生电子-空穴对复合率,从而提高光催化降解染料的效率。本项目以钛酸四丁酯