【摘 要】
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当今,人类社会与经济高速发展,同时也伴随着常规能源短缺、环境恶化和温室效应等问题。寻找一种取之不尽、用之不竭的清洁能源对人类及人类社会具有十分重要的意义。太阳能便
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当今,人类社会与经济高速发展,同时也伴随着常规能源短缺、环境恶化和温室效应等问题。寻找一种取之不尽、用之不竭的清洁能源对人类及人类社会具有十分重要的意义。太阳能便是一种这样的能源,这使得太阳电池受到人们的关注。
CuInSe2薄膜材料具有良好的光电性能,被认为是最有发展前景的薄膜电池材料之一。本文以高纯Cu、In、Se粉末用共蒸发法与后硒化法制备CuInSe2薄膜。研究了衬底温度、退火温度对CuInSe2薄膜性能的影响规律。使用了扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、四探针等对CuInSe2薄膜的微观形貌、光电性能进行了测试。实验表明:衬底温度为200℃开始出现CuInSe2相,衬底温度为300℃、400℃时,获得性能良好的CuInSe2薄膜。退火处理能够显著改善晶粒尺寸,使CuInSe2薄膜表面平整,提高CuInSe2薄膜的性能。但过高的衬底及退火温度会导致Se、In元素的流失。
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