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作为一种新型的非易失性存储技术,磁性随机存储器MRAM(Magnetic Random Access Memory）因为其高集成度、低功耗、高速读写能力等优点而受到各界的广泛关注。经过十多年的演变磁性随机存储技术的核心已经发展到一种称作MTJ（Magnetic tunnel junction）的结构，它能够在外加磁场方向变化的情况下基于电子发生隧穿磁电阻效应而使得MTJ在宏观上呈现高阻和低阻两种状态。因此开发能够测试MTJ在外加磁场变化下电阻变化的测试系统显得尤为必要。 本文重点研究并开发了基于LabVIEW的垂直磁各向异性MTJ测试系统。论文首先介绍了垂直磁各向异性MTJ测试系统的开发背景与意义，虚拟仪器开发技术以及图形化编程语言LabVIEW的突出特点。然后简述作为磁性随机存储器核心器件的MTJ的工作原理，描述了LabVIEW程序的组成结构与开发流程。接着详细描述测试系统的硬件组成与架构，测试系统的软件程序对测试工作的流程控制。结尾部分还给出了使用这套测试系统得出的测试结果，并对测试结果作了简要的分析。 对垂直磁各向异性MTJ测试系统的成功开发，能够实现对所制作的MTJ器件作为存储器件的性能评估，对从材料和工艺等方面深入探究性能更加优良的MTJ提供了可靠实用的测试手段。