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金刚石具有优异的力学、热学、光学、电学及声学等物理特性和化学惰性,可用于制造高击穿电压、耐高温和耐强辐射的高性能电子器件,在光电子学领域具有广阔的应用前景。为满足微纳米金刚石类半导体器件的集成化要求,利用光刻技术实现金刚石薄膜的图形化生长是最有效的手段之一。本工作采用电子增强热丝化学气相沉积(EACVD)技术,以硫为掺杂原子,并利用紫外光光刻技术,以Si02作掩模,在p型硅衬底上制备了图形化硫掺杂金刚石薄膜。理论上,采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了金刚石(001)表面的氢吸附问题,