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高分辨电子显微学是晶体结构，特别是缺陷晶体结构表征最有效的方法之一。然而，由于成像系统的像差和样品厚度的影响，高分辨像未必直接反映晶体结构。为了得到可靠的结构信息，往往需要对高分辨像像衬作仔细分析或使用图像处理方法。近年来球差校正电镜的出现，使像分辨率大为提高且像的解释在一定条件下变得容易。本文一方面介绍了高分辨电子显微学及像解卷处理在晶体缺陷结构测定方面的应用，另一方面介绍了对球差校正电镜成像规律的研究结果，具体包括以下内容：
研究了采用液相外延方法在Mg0衬底上生长的0°和45°YBa2Cu307-δ(YBCO)薄膜与衬底之间的界面结构。通过对像衬的分析结合图像处理和像模拟，确定了界面的原子配置。
将像解卷技术应用于LaB6灯丝电镜拍摄的缺陷GaN的高分辨像，将本不直接反映结构的像转换为结构像，确定了晶体缺陷的类型。
利用数值方法研究了纯非线性效应对球差校正电镜中三种成像条件所获得的原子像，即对正球差Scherzer聚焦像、负球差像和振幅衬度像像衬的影响，分析了纯非线性像成分在不同样品厚度、不同球差系数下的分布规律以及它对像分辨率的影响，研究了实际成像系统的机械振动对纯非线性效应的作用。
将赝弱相位物体近似理论扩展到球差校正电镜的情况，分析了负球差条件下赝弱相位物体近似的像强度公式，利用YBCO的模拟像分析了球差校正电镜中正球差和负球差成像条件下不同重量的原子的像衬度随样品厚度变化的规律。
最后，介绍了像处理程序DEC2k4的特点和主要功能。