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氧化锌(ZnO)是一种重要的直接带隙半导体功能材料，其禁带宽度为3.37eV，在室温下具有较大的激子束缚能(60meV)，比GaN(25meV)、ZnSe(22meV)高，能在室温及更高温度下产生近紫外的短波激子发光。自1997年观测到其纳米微晶结构的薄膜在室温下光泵受激紫外发射后，已经迅速成为短波半导体激光发射材料研究的热点。此外，氧化锌还是一种同时具有半导体和压电双重性质的功能材料，具有良好的导电、导热和化学稳定性。由于氧化锌具有三个优先生长方向(±[0001])；(