【摘 要】
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本文采用最优的工艺参数,利用顶部下晶助熔剂方法,从中频加热炉中生长出无明显宏观缺陷、光学均匀性好的锌铁和锰铁双掺杂近化学计量比铌酸锂单晶。生长出尺寸为Φ30×30的
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本文采用最优的工艺参数,利用顶部下晶助熔剂方法,从中频加热炉中生长出无明显宏观缺陷、光学均匀性好的锌铁和锰铁双掺杂近化学计量比铌酸锂单晶。生长出尺寸为Φ30×30的大块晶体。
X射线粉末衍射实验结果表明近化学计量比Zn:Fe:LiNbO3和Mn:Fe:LiNbO3晶体具有与同成份晶体相同的晶格结构。对近化学计量比Zn:Fe:LiNbO3晶体的晶胞参数进行计算后发现,晶格常数随着ZnO含量的增加而增加。利用差热分析测试近化学计量比Zn:Fe:LiNbO3晶体的居里温度,发现当ZnO含量低于其阈值浓度时,晶体的居里温度随ZnO含量的增加而上升。相反地,当ZnO含量达到其阈值浓度后,其居里温度开始下降。
近化学计量比Zn:Fe:LiNbO3和Mn:Fe:LiNbO3晶体的紫外吸收边和红外吸收峰的变化机理也在本文中被讨论。分析显示Zn2+离子优先取代反位铌(NbLi4+),而Fe和Mn离子首先占据正常的锂位。当ZnO含量达到其阈值浓度后,所有的反位铌被完全取代,Zn2+离子开始同进占据正常的锂和铌位,形成(ZnNb3--3ZnLi+)自补偿结构。
利用二波耦合实验测试了近化学计量比Zn:Fe:LiNbO3晶体的光折变性能,如指数增益系数、衍射效率、光折变响应时间及擦除时间。同时,对近化学计量比Zn:Fe:LiNbO3晶体的空间电荷场和扩散场进行计算。
利用透射光斑畸变法测试了近化学计量比Zn:Fe:LiNbO3晶体的抗光致散射能力。当ZnO含量低于其阈值浓度时,晶体的抗光致散射能力变化不大。相反地,当ZnO含量达到其阈值浓度后,晶体的抗光致散射能力显著增加,比近化学计量比Fe:LiNbO3晶体提高了几个数量级。分析表明光电导是晶体抗光致散射性能变化的唯一原因。
本文首次在近化学计量比Mn:Fe:LiNbO3晶体中实现了非挥发性全息存储。与同成份Mn:Fe:LiNbO3晶体相比,近化学计量比晶体具有更短的光栅建立时间和更高的光折变灵敏度,达到了O.040cm/J。将近化学计量比Mn:Fe:LiNbO3晶体应用到光折变体全息存储相关识别中,取得了良好的效果。
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